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レッスン 13.1マイクロ・ナノ第 13 章 · マイクロ・ナノ加工

チョクラルスキー法による結晶成長(シリコンウェハー)

融液から、シリコンの巨大な単結晶をゆっくり引き上げる

チョクラルスキー法(Czochralski、「チョクラルスキー」と読みます)は、シリコンの巨大な単結晶をつくります。すべての原子が同じ完璧な格子に並んだ、ひと続きの固体です。小さな種結晶を溶けたシリコンに浸し、非常にゆっくり引き上げると、その上にシリコンが固まっていきます。この結晶を薄い円板、ウェハーにスライスしたものが、ほぼすべてのコンピューターチップや、多くの太陽電池の土台になります。

チョクラルスキー法による結晶成長(シリコンウェハー):実際の写真
写真:ArticCynda, CC0, 提供: Wikimedia Commons
溶けたシリコンから種結晶をゆっくり引き上げると、1 つの巨大な結晶に成長するチョクラルスキー引き上げ装置の断面と、完成したインゴットの行き先成長中グラファイトヒーター溶けたシリコン約 1,420 °C石英るつぼるつぼは反対向きに回るゆっくり引き上げる回転しながら種結晶細いネック成長する結晶(インゴット)成長前線アルゴンガス入口アルゴン出口アルゴン出口1234成長後ボディ:ウェハーにスライス種結晶側の端テールコーン5研削し、スライスダイヤモンドワイヤーで6研磨したウェハー厚さ 1 mm 未満チップや太陽電池用シリコン結晶熱と溶けたシリコン機械の部品アルゴンガス
チョクラルスキー法の結晶引き上げ炉の断面 · 6つの手順丸数字は下の手順に対応しています。上の図は炉(引き上げ装置)の断面、下の図は完成した結晶を示しています。

しくみ

  1. シリコンを溶かす。 超高純度のシリコンの塊を、石英るつぼ(耐熱性の鉢)の中で、約 1,420 °C で溶かします。計量したひとつまみのホウ素またはリン(ドーパントで、シリコンの電気の通し方を決める)も加え、アルゴンガスで融液から空気を遠ざけます。

  2. 種結晶を浸す。 原子の格子が選んだ方向を向くように切り出した小さな種結晶を、融液にちょうど触れるまで下ろします。シリコン原子がその上で固まり、格子を写し取ります。

  3. 細いネックを引く。 種結晶をまず速く引き上げ、幅わずか数ミリのネックをつくります。欠陥(転位、原子の格子の傷)は、結晶に広がらず、ネックを通って外へ抜けていきます。

  4. ショルダーとボディを育てる。 引き上げ速度を落とすと、結晶は円錐状(ショルダー)に広がり、そのあと全径、通常は 200 または 300 mm で成長します。種結晶とるつぼは逆向きに回転して融液を均一に保ち、結晶はおよそ毎分 1 ミリの速さで上昇します。

  5. テールを絞って冷ます。 最後に直径を円錐状に絞り、結晶が熱衝撃(格子を傷める急な温度変化)を受けずに融液から離れるようにします。完成した結晶はインゴットと呼ばれ、引き上げられてゆっくり冷まされます。

  6. 研削してスライスする。 インゴットを正確な円筒に研削し、結晶の方向を示すノッチを入れます。ダイヤモンドを付けたワイヤで厚さ 1 mm 未満のウェハーにスライスし、鏡面に研磨します。

主なポイント

材料
ほとんどがシリコン。ゲルマニウムや、レーザーと光学用の一部の酸化物結晶も
代表的な部品
円柱状のインゴット(ブールとも呼ぶ)で、ウェハーにスライスする
部品サイズ
直径は通常 200–300 mm、長さは最大約 2 m、重さは数百 kg
精度
転位のない、ひと続きの原子格子。直径は研削前で約 1 ミリ以内に保つ。完成したウェハーは約 1 マイクロメートル(1 ミリの千分の1)の平坦度
表面仕上げ
成長したままの状態:光沢のある金属的なグレーで、長さ方向にかすかな筋がある。完成したウェハーは鏡面研磨
向いているロット数
量産:引き上げ装置1台が、1本のインゴットを一度に、昼夜を問わず育てる
金型・設備コスト
引き上げ装置は 1 台あたり百万ドル前後。石英るつぼは消耗品で、インゴット1本から数本ごとに交換
速度
結晶はおよそ毎分 1 mm の速さで、インゴット1本に1日以上かかる

強みと限界

強み

  • 巨大でほぼ完璧な単結晶
  • 正確なドーピングで電気的な性質が決まる
  • 成熟し、高度に自動化されている。300 mm ウェハーまで
  • チップや多くの太陽電池の標準的な出発点

限界

  • 石英るつぼの酸素がシリコンに溶け込む
  • 遅い:インゴット1本に数日かかることもある
  • 多くのエネルギーを使い、るつぼを消費する
  • ドーパントの濃度が、インゴットの一端から他端にかけて変化していく

使われる場所

  • エレクトロニクス300 mm ウェハーでつくられる、プロセッサやメモリチップ
  • 太陽エネルギー単結晶太陽電池
  • パワーエレクトロニクス充電器、自動車、電車のパワートランジスタとダイオード
  • センサーと MEMS(シリコンにエッチングされた微小な機械)スマートフォンのカメラのイメージセンサー、モーションセンサー(加速度計)
  • 光学とレーザー赤外線光学用のゲルマニウム、Nd:YAG などのレーザー結晶

見分け方

  • ほとんどの場合、見えません。 結晶は、すべてのチップの内部に隠れています。ウェハーから切り出した小さな正方形で、スマートフォンやノートパソコンの回路基板の上の黒いパッケージに封じられています。
  • 太陽光パネル。 単結晶セルは、むらのない濃い色で、はがれたような模様がなく、角が少し切り落とされていることが多いです。丸いインゴットから四角に切り出したためです。
  • ウェハー単体。 鏡のようなグレーの円板で、縁には、結晶の方向を示す小さなノッチかフラットがたいていあります。
  • インゴット全体 は、工場の写真や博物館では、巨大なグレーの弾丸のように見えます。表面にはかすかな直線状の筋があり、結晶の内部の格子を表しています。

比較

動画を見る

Linton Crystal Technologies · 種付け、ネッキング、引き上げを、引き上げ装置の内部でアニメーション化

Intel · 砂から完成したチップまでの道のりの中で、インゴットがどこにあたるか

Linton Crystal Technologies · 工場にある本物の結晶引き上げ装置と完成したインゴット

Linton Crystal Technologies · インゴットがウェハーにスライスされる様子

実写真を見る

覚えておこう

  • 溶けたシリコンからゆっくり引き上げた種結晶が、最長約 2 m の、傷ひとつない1つの結晶に育ちます。
  • 細いネック、ゆっくりした引き上げ、逆向きの回転、アルゴンガスが、その結晶を完璧かつ清浄に保ちます。
  • ほぼすべてのチップと多くの太陽電池は、こうしたインゴットの1枚のスライスから始まります。

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