チョクラルスキー法による結晶成長(シリコンウェハー)
融液から、シリコンの巨大な単結晶をゆっくり引き上げる
チョクラルスキー法(Czochralski、「チョクラルスキー」と読みます)は、シリコンの巨大な単結晶をつくります。すべての原子が同じ完璧な格子に並んだ、ひと続きの固体です。小さな種結晶を溶けたシリコンに浸し、非常にゆっくり引き上げると、その上にシリコンが固まっていきます。この結晶を薄い円板、ウェハーにスライスしたものが、ほぼすべてのコンピューターチップや、多くの太陽電池の土台になります。

しくみ
シリコンを溶かす。 超高純度のシリコンの塊を、石英るつぼ(耐熱性の鉢)の中で、約 1,420 °C で溶かします。計量したひとつまみのホウ素またはリン(ドーパントで、シリコンの電気の通し方を決める)も加え、アルゴンガスで融液から空気を遠ざけます。
種結晶を浸す。 原子の格子が選んだ方向を向くように切り出した小さな種結晶を、融液にちょうど触れるまで下ろします。シリコン原子がその上で固まり、格子を写し取ります。
細いネックを引く。 種結晶をまず速く引き上げ、幅わずか数ミリのネックをつくります。欠陥(転位、原子の格子の傷)は、結晶に広がらず、ネックを通って外へ抜けていきます。
ショルダーとボディを育てる。 引き上げ速度を落とすと、結晶は円錐状(ショルダー)に広がり、そのあと全径、通常は 200 または 300 mm で成長します。種結晶とるつぼは逆向きに回転して融液を均一に保ち、結晶はおよそ毎分 1 ミリの速さで上昇します。
テールを絞って冷ます。 最後に直径を円錐状に絞り、結晶が熱衝撃(格子を傷める急な温度変化)を受けずに融液から離れるようにします。完成した結晶はインゴットと呼ばれ、引き上げられてゆっくり冷まされます。
研削してスライスする。 インゴットを正確な円筒に研削し、結晶の方向を示すノッチを入れます。ダイヤモンドを付けたワイヤで厚さ 1 mm 未満のウェハーにスライスし、鏡面に研磨します。
主なポイント
- 材料
- ほとんどがシリコン。ゲルマニウムや、レーザーと光学用の一部の酸化物結晶も
- 代表的な部品
- 円柱状のインゴット(ブールとも呼ぶ)で、ウェハーにスライスする
- 部品サイズ
- 直径は通常 200–300 mm、長さは最大約 2 m、重さは数百 kg
- 精度
- 転位のない、ひと続きの原子格子。直径は研削前で約 1 ミリ以内に保つ。完成したウェハーは約 1 マイクロメートル(1 ミリの千分の1)の平坦度
- 表面仕上げ
- 成長したままの状態:光沢のある金属的なグレーで、長さ方向にかすかな筋がある。完成したウェハーは鏡面研磨
- 向いているロット数
- 量産:引き上げ装置1台が、1本のインゴットを一度に、昼夜を問わず育てる
- 金型・設備コスト
- 引き上げ装置は 1 台あたり百万ドル前後。石英るつぼは消耗品で、インゴット1本から数本ごとに交換
- 速度
- 結晶はおよそ毎分 1 mm の速さで、インゴット1本に1日以上かかる
強みと限界
強み
- 巨大でほぼ完璧な単結晶
- 正確なドーピングで電気的な性質が決まる
- 成熟し、高度に自動化されている。300 mm ウェハーまで
- チップや多くの太陽電池の標準的な出発点
限界
- 石英るつぼの酸素がシリコンに溶け込む
- 遅い:インゴット1本に数日かかることもある
- 多くのエネルギーを使い、るつぼを消費する
- ドーパントの濃度が、インゴットの一端から他端にかけて変化していく
使われる場所
- エレクトロニクス300 mm ウェハーでつくられる、プロセッサやメモリチップ
- 太陽エネルギー単結晶太陽電池
- パワーエレクトロニクス充電器、自動車、電車のパワートランジスタとダイオード
- センサーと MEMS(シリコンにエッチングされた微小な機械)スマートフォンのカメラのイメージセンサー、モーションセンサー(加速度計)
- 光学とレーザー赤外線光学用のゲルマニウム、Nd:YAG などのレーザー結晶
見分け方
- ほとんどの場合、見えません。 結晶は、すべてのチップの内部に隠れています。ウェハーから切り出した小さな正方形で、スマートフォンやノートパソコンの回路基板の上の黒いパッケージに封じられています。
- 太陽光パネル。 単結晶セルは、むらのない濃い色で、はがれたような模様がなく、角が少し切り落とされていることが多いです。丸いインゴットから四角に切り出したためです。
- ウェハー単体。 鏡のようなグレーの円板で、縁には、結晶の方向を示す小さなノッチかフラットがたいていあります。
- インゴット全体 は、工場の写真や博物館では、巨大なグレーの弾丸のように見えます。表面にはかすかな直線状の筋があり、結晶の内部の格子を表しています。
比較
動画を見る
Linton Crystal Technologies · 種付け、ネッキング、引き上げを、引き上げ装置の内部でアニメーション化
Intel · 砂から完成したチップまでの道のりの中で、インゴットがどこにあたるか
Linton Crystal Technologies · 工場にある本物の結晶引き上げ装置と完成したインゴット
Linton Crystal Technologies · インゴットがウェハーにスライスされる様子
実写真を見る
- Wikipedia: チョクラルスキー法 — 工程の図と、シリコンインゴットの写真
- Wikimedia Commons の写真検索
覚えておこう
- 溶けたシリコンからゆっくり引き上げた種結晶が、最長約 2 m の、傷ひとつない1つの結晶に育ちます。
- 細いネック、ゆっくりした引き上げ、逆向きの回転、アルゴンガスが、その結晶を完璧かつ清浄に保ちます。
- ほぼすべてのチップと多くの太陽電池は、こうしたインゴットの1枚のスライスから始まります。